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型号：B<b class='flag-s-7'>298L</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**B298L-VB** 是一款高性能单N沟道 MOSFET，封装形式为 TO263。该 MOSFET 采用 Trench 技术，设计用于中高电压和高电流应用。它具有较高的耐压和低导

2025-01-07 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：CMD<b class='flag-s-7'>298</b> 品牌：

Qorvo 的 CMD298 是一款射频放大器，频率为 17 至 25 GHz，增益为 24 至 27.5 dB，噪声系数为 1.4 至 2.1 dB，P1dB 8 至 9 dBm，P1dB

2022-10-09 17:59 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：CMD<b class='flag-s-7'>298</b>C4 品牌：

Qorvo 的 CMD298C4 是一款射频放大器，频率为 17 至 25 GHz，增益为 22 至 27.5 dB，噪声系数为 1.4 至 2 dB，P1dB 8 至 9 dBm，P1dB

2022-10-09 17:48 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：AOW<b class='flag-s-7'>298</b>-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介AOW298-VB是一款单通道N沟道MOSFET，采用了Trench技术。设计用于高电流和中等电压的应用场合，具有较低的导通电阻和高电流能力。该器件封装为TO262，适合需要

2024-12-13 11:01 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：CMD<b class='flag-s-7'>298</b>C4 品牌：

CMD298C4产品简介Qorvo 的 CMD298C4 是一款高效 GaAs MMIC 低噪声放大器，采用无引线 4x4 毫米表面贴装封装。CMD298C4 非常适合

2023-04-23 20:44 立年电子科技 企业号

型号：RU40<b class='flag-s-7'>L10L</b>-VB 品牌：微碧

**产品简介：**RU40L10L-VB是VBsemi品牌的P沟道场效应晶体管，具有单个P沟道。该晶体管适用于高功率电子应用，采用TO252封装，具有良好的散热性能。具有-40V的漏极-源极电压

2024-06-14 14:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：3341<b class='flag-s-7'>L</b>-VB 品牌：微碧

VBsemi 3341L-VB 产品参数说明：- 型号：3341L-VB- 丝印：VB2355- 品牌：VBsemi- 封装：SOT23- 沟道类型：P—Channel- 额定沟道电压：-30V-

2024-03-08 11:47 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：2SJ319<b class='flag-s-7'>L</b>-VB 品牌：微碧

### 2SJ319L-VB MOSFET 产品简介2SJ319L-VB 是一款单 P-Channel MOSFET，采用 TO251 封装。该器件具有高压承受能力和低功率损耗特性，适用于需要处理高

2024-07-12 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：STU9916<b class='flag-s-7'>L</b>-VB 品牌：微碧

(±V)- 阈值电压：1.8V (Vth)- 封装：TO252应用简介:STU9916L-VB是一款N沟道功率MOSFET，设计用于在各种电子应用中提供高性能的

2023-12-19 10:59 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AOB470<b class='flag-s-7'>L</b>-VB 品牌：微碧

Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压 (Vth)：3.7V- 封装：TO263应用简介：AOB470L-VB是一款N沟道MOSFET，具有高额定电压和电流特性，

2023-12-14 15:32 微碧半导体VBsemi 企业号