### 产品简介**B298L-VB** 是一款高性能单N沟道 MOSFET,封装形式为 TO263。该 MOSFET 采用 Trench 技术,设计用于中高电压和高电流应用。它具有较高的耐压和低导
2025-01-07 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号
0.006 至 0.008 W。标签:芯片,低噪声放大器。CMD298 的更多细节可以在下面看到。产品规格产品详情零件号 &n
2022-10-09 17:59 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 1. 产品简介AOW298-VB是一款单通道N沟道MOSFET,采用了Trench技术。设计用于高电流和中等电压的应用场合,具有较低的导通电阻和高电流能力。该器件封装为TO262,适合需要
2024-12-13 11:01 微碧半导体VBsemi 企业号
Qorvo 的 CMD298C4 是一款射频放大器,频率为 17 至 25 GHz,增益为 22 至 27.5 dB,噪声系数为 1.4 至 2 dB,P1dB 8 至 9 dBm,P1dB
2022-10-09 17:48 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
2022-12-30 09:32 深圳市俞霖科技开发有限公司 企业号
型号:CED12N10L-VB丝印:VBFB1101M品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:N沟道- 额定电压:100V- 最大连续电流:15A- 静态导通电阻(RDS(ON)):115m
2023-12-20 17:07 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: 4N06L30-VB丝印: VBE1638品牌: VBsemi参数:- N沟道- 额定电压:60V- 最大电流:45A- 开通电阻:24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V
2023-12-19 11:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介4N03L01-VB是一款双N沟道和双P沟道MOSFET,采用TO263-7L封装,适用于高功率应用。该器件具有40V的漏源电压(VDS),非常低的
2024-11-12 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4N03L06-VB MOSFET产品简介4N03L06-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装,由VBsemi公司生产。它具有低漏源电压和低导通电
2024-11-12 15:03 微碧半导体VBsemi 企业号