U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。5、BUDS — 漏源击穿电压。是
2009-04-25 15:43
FQP50N06场效应管参数的场效应管作为100W-12V输入的逆变器的重要组成部分，在对100W-
2021-01-23 03:47
场效应管的参数常用场效应管参数表型号厂家用途构造沟道方式v111(V)区分ixing(A)pdpch(W)waixing
2009-04-28 10:43
能力 将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上
2021-05-13 06:55
场效应管。 国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。表1列出六种VMOS管的主
2021-05-13 06:40
5000种场效应管参数
2013-05-14 02:22
`5000种场效应管参数`
2012-11-03 11:42
`场效应管参数符号意义`
2012-08-13 14:19
各种场效应管参数大全
2016-10-13 20:54
场效应管的分类 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝
2009-04-25 15:38
