U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。5、BUDS — 漏源击穿电压。是
2009-04-25 15:43
功率场效应管的原理、特点及参数 功率场效应管又叫功率场控晶体管。 一．功率场效应管
2009-10-06 22:55
VMOS场效应管,VMOS场效应管是什么意思 VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全
2010-03-04 09:51
场效应管的参数常用场效应管参数表型号厂家用途构造沟道方式v111(V)区分ixing(A)pdpch(W)waixing
2009-04-28 10:43
VMOS场效应管,VMOS场效应管是什么意思 VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为
2010-03-05 15:44
常用场效应管IRF333/341/342/343/351/611/024/48/等参数。
2016-03-21 17:46
场效应管（FET）,场效应管（FET）是什么意思 场效应管和双极晶体管不同，仅以电子或空穴中的一种载子动作的晶体管。按
2010-03-01 11:06
FQP50N06场效应管参数的场效应管作为100W-12V输入的逆变器的重要组成部分，在对100W-
2021-01-23 03:47
本文主要介绍了场效应管的参数。
2019-08-14 11:36
