JFET的全称为结型场效应晶体管，MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型MOSFET与JFET均属于电压控制型场效应晶体管（FET），场效应晶体管通过
2023-11-07 14:36
自举式悬浮驱动电路可以极大的简化驱动电源的设计，只需要一路电源就可以驱动上下桥臂两个开关管的驱动，可以节省Si MOSFET功率器件方案的成本。
2022-01-14 14:47
当使用分立的JFET时，设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程，作为JFET漏极电流特性的一个近似模型：ID=β（VGS-VP）2，其中，ID是
2012-07-25 14:53
随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiCJFET将越来越重要。我们将详细介绍安森美(onsemi)SiC cascode JFET，内容包括Cascode（共源共栅）关键参数和并联振荡的分析，以及设计指南。本文将继续讲解并联的挑战。
2025-02-28 15:50
瑞能G3 超结MOSFET Analyzation 瑞能超结MOSFET “表现力”十足 可靠性表现 可靠性保障 •瑞能
2025-05-22 13:59
在工业自动化和控制系统领域，微控制器（MCU）和可编程逻辑控制器（PLC）都是不可或缺的核心设备。它们各自具有独特的功能和优势，并在不同的应用场景中发挥着重要作用。然而，关于微控制器是否能替代PLC的讨论一直存在。本文将从多个角度深入探讨这一问题，旨在为读者提供清
2024-06-13 14:52
MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。它是一种 FET（场效应晶体管），其栅极和沟道之间具有绝缘金属氧化物层。相反，JFET 的栅极与其沟道相连。绝缘栅的优点是其卓越的速度和性能，并且漏电流非常小。
2024-02-27 17:36
虽然增强型FET比耗尽型FET的应用要广泛得多，但耗尽型FET尤其是JFET在模拟设计中仍占一席之地。增强型 MOSFET 器件需要能量来供电，而耗尽型器件需要能量“停止”供电，这是它们的主要区别。
2018-05-29 10:40
碳化硅二极管多为肖特基二极管。第一个商用 SiC 肖特基二极管是在 10 多年前推出的。从那时起，这些设备已被整合到许多电源系统中。二极管升级为 SiC 功率开关，例如 JFET、BJT
2022-07-27 11:03
随着AI技术井喷式快速发展，进一步推动算力需求，服务器电源效率需达97.5%-98%，通过降低能量损耗，来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇，瑞能半导体先发制人，推出的第三代超结MOSFET，能全面满足高效能需求。
2025-05-22 13:58
