JFET的全称为结型场效应晶体管，MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型MOSFET与JFET均属于电压控制型场效应晶体管（FET），场效应晶体管通过
2023-11-07 14:36
场效应管是场效应晶体管的简称，应为缩写为FET。场效应管通常分为两类：1）JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极G、漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，
2019-06-19 17:16
当使用分立的JFET时，设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程，作为JFET漏极电流特性的一个近似模型：ID=β（VGS-VP）2，其中，ID是
2012-07-25 14:53
MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。它是一种 FET（场效应晶体管），其栅极和沟道之间具有绝缘金属氧化物层。相反，JFET 的栅极与其沟道相连。绝缘栅的优点是其卓越的速度和性能，并且漏电流非常小。
2024-02-27 17:36
虽然增强型FET比耗尽型FET的应用要广泛得多，但耗尽型FET尤其是JFET在模拟设计中仍占一席之地。增强型 MOSFET 器件需要能量来供电，而耗尽型器件需要能量“停止”供电，这是它们的主要区别。
2018-05-29 10:40
碳化硅二极管多为肖特基二极管。第一个商用 SiC 肖特基二极管是在 10 多年前推出的。从那时起，这些设备已被整合到许多电源系统中。二极管升级为 SiC 功率开关，例如 JFET、BJT
2022-07-27 11:03
随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiCJFET将越来越重要。我们将详细介绍安森美(onsemi)SiC cascode JFET，内容包括Cascode（共源共栅）关键参数和并联振荡的分析，以及设计指南。本文将继续讲解并联的挑战。
2025-02-28 15:50
MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。
2023-02-17 14:48
在工业仪器仪表系统控制设备领域，高性能、低功耗运放芯片需求日益增加。中微爱芯推出的AiP061/2/4芯片，分别为单通道、双通道和四通道的低功耗JFET输入运算放大器。作为084系列运算放大器
2023-11-01 09:54
场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。
2023-11-16 16:21
