简介ME2101 系列 DC/DC 芯片是采用CMOS 工艺制造的低静态电流的 PWM 开关型 DC/DC 升压转换器。该系列芯片采用先进的电路设计和制造工艺，极大地改善了开关电路固有的噪声
2022-06-18 17:06 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号
优恩半导体20DJ2-J3系列径向导联压敏电阻为低直流电压应用提供了理想的电路保护解决方案，在这种小圆盘中提供比以往更高的浪涌额定值。极限峰值浪涌电流额定值可达13ka (8/20 μs脉冲)，以防
2023-06-14 11:39 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
能和低导通电阻，非常适合在高效能和高密度电路设计中使用。其最大漏源电压（VDS）为 30V，能够支持较高的电流（ID）为 13A，使其在许多应用中表现出色。ME481
2025-09-04 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介ME3585-VB是VBsemi公司推出的多功能场效应管。该器件具有2个N+P沟道，能够同时进行N沟道和P沟道的控制。其特点包括±20V的最大耐压、7A的N沟道最大电流和-4.5A
2024-06-11 14:51 微碧半导体VBsemi 企业号
简介ES-2J 离子风枪采用防震式AC 电离技术,提供很好的静电防护和快速消除物体表面灰尘杂质及物件表面静电荷。ES-2J离子风枪发射点与高压电容连接，由于其坚固的设计，这种枪
2021-12-17 10:54 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
型号 ME4925丝印 VBA4317品牌 VBsemi参数 频道类型 2个P沟道 额定电压 30V 额定电流 8.5A RDS(ON) 21mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V
2023-11-02 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号
, VGS=20V- 阈值电压：1.2~2.2V**应用简介：**ME2318S-VB适用于各种电子应用，特别适用于需要N-Channel场效应晶体管的电路设计。其性
2024-03-22 11:36 微碧半导体VBsemi 企业号
ME4948ED-VB 是VBsemi品牌的N沟道场效应管，具有以下参数：- 2个N—Channel沟道- 额定电压：60V- 额定电流：6A- 导通电阻：RDS(ON)=27mΩ @ VGS
2024-03-22 14:09 微碧半导体VBsemi 企业号
，VGS=8V时）、阈值电压Vth范围为0.45~1V。这款MOSFET适用于高性能开关和放大的电路设计。在电源管理、电池管理、DC-DC转换器等领域中，ME2302
2024-04-01 15:25 微碧半导体VBsemi 企业号
。ME6211内部包括参考电压源、误差放大器、驱动晶体管、电流限制器和相位补偿器。ME6211的电流限制器的折叠电路也可以作为输出电流限制器和的短路保护。输出引脚。ME
2023-05-16 09:58 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
