### 9T15J-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介9T15J-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，适用于低电压高电流的应用场合。采用TO251封装，具备30V的漏源极电压额定值
2024-11-27 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 9T18J-VB MOSFET 产品简介9T18J-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用 TO251 封装。它支持最大 30V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20
2024-11-27 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号
)。两个微型 USB 端口连接到 J-Link 和 DWM3001C USB 接口。板载 J-Link 调试器为 DWM3001C 提供 SWD 和 UART 接口。两
2023-05-10 14:19 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 1. 产品简介AP9T18J-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET，采用槽沟技术，设计用于高性能功率管理和开关应用。具有低导通电阻和高漏极电流能力，适合在要求高功率密度和可靠性
2024-12-27 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**9T16J-VB**是一款低压单N沟道MOSFET，采用TO251封装。它具备低漏极-源极电压和极低的导通电阻特性，适合于低压高功率处理的应用场合。采用Trench技术制造，能够
2024-11-27 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介详述：AP9T15J-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，采用先进的槽沟技术（Trench）制造。该器件具有高电流承载能力和低导通电阻，适合于需要高功率密度和高效能
2024-12-27 15:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详细：AP9T16J-VB 是一款单路N沟道场效应管，采用先进的Trench技术制造。它适用于中低压电路设计，具有30V的漏极-源极电压（VDS）。该器件在不同的栅极-源极电压
2024-12-27 15:08 微碧半导体VBsemi 企业号
CC-LINK IEFB(CC-Link IE Field Basic)、Profinet、EtherNet/IP、EtherCAT、Modbus协议 DDC 控制器 I/O模块 ,不同的适配器分别
2024-07-05 10:15 北京中科易联科技有限公司 企业号
CC-LINK IEFB、MODBUS远程扩展IO为分布式IO模块，包括开关量输入输出和模拟量输入输出。远程IO产品特点为每种IO模块都可单独作为CC-LINK IEFB、MODBUS从站模块，同时
2024-07-04 14:38 北京中科易联科技有限公司 企业号
ADS9-V2EBZADS9-V2EBZADS9-V2EBZ 评估板特性和优点Xilinx Kintex Ultrascale+ XCKU15P-2FFVE1517E FPGA。 一 (1) 个
2024-02-17 15:33 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
