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型号：UF28150<b class='flag-s-7'>J</b> 品牌：

UF28150J 射频功率 MOSFET 晶体管 150W, 100MHz-500MHz, 28V   特征DMOS结构公共源配置宽带操作的低电容 

2023-03-31 10:34 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：9912<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 9912J-VB MOSFET 产品简介9912J-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，封装为TO251。具有优秀的导通特性和低导通电阻，适用

2024-11-26 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9563<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 9563J-VB MOSFET#### 一、产品简介9563J-VB 是一款高性能单P沟道MOSFET，采用先进的Trench技术制造。其封装为TO251，具有

2024-11-25 13:59 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9918<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介详细VBsemi MOSFET 9918J-VB 是一款单N沟道型MOSFET，采用TO251封装。具有以下主要特性：- **VDS (漏极-源极

2024-11-26 15:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SMB10<b class='flag-s-7'>J</b> SERIES 品牌：江苏芯格诺

封装形式：SMB10J5.0A、SMB10J6.0A、SMB10J6.5A、SMB10J7.0A、SMB10J7.5A、

2022-07-26 11:03 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：9915<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介**产品型号：** 9915J-VB  **封装形式：** TO251  **配置：** 单N沟道MOSFET  **技术：** Trench技术

2024-11-26 15:29 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SMA6<b class='flag-s-7'>J</b> SERIES 品牌：江苏芯格诺

系列型号：SMA6J5.0A、SMA6J6.0A、SMA6J6.5A、SMA6J7.0A、SMA6J7.5A、SMA6

2022-07-26 10:23 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：9916<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 9916J-VB 产品简介9916J-VB 是一款单 N 沟道场效应管（MOSFET），采用先进的沟道技术，具有低导通电阻和高漏极电流特性，适用于各种需要高效能和高功率的电子应用场

2024-11-26 15:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：E3M0120090<b class='flag-s-7'>J</b> 品牌：

E3M0120090J通过推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 扩展了其在碳化硅领域的领先地位；业内首个汽车认证；业界提供具有 PPAP 功能且防潮的 MOSFET。它采用

2022-05-22 10:54 立年电子科技 企业号