IGBT XPT 1200V 152A SOT-227B
2023-03-29 15:13
采用 LFPAK56E 封装的 NextPower 100 V、4.3 mOhm、120 A、N 沟道 MOSFET-PSMN3R9-100YSF
2023-02-16 20:07
LFPAK33 中的 N 沟道 100 V、120 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9M120-100E
2023-02-21 19:50
）：±100nAG-E阈值电压（VGE(th)）：5.5V输入电容（Cies）：1150pF输出电容（Coes）：120pF开启延迟时间TC = 25°C（td(on)）：90ns关断延迟时间TC = 25°
2021-12-28 16:58
IGBT二极管IXYB82N120C3H1规格书免费下载。
2022-11-07 16:58
ASEMI艾赛斯IGBT管IXYB82N120C3H1规格书
2022-11-21 15:04
编辑： ll ASEMI代理IXYB82N120C3H1艾赛斯IGBT二极管 型号： IXYB82N120C3H1 品牌：IXYS/艾赛斯 封装： TO-264 最大漏源电流：82A 漏源击穿电压
2023-02-24 09:55
3C91C, 3C92C, 3N243, 3N244, 3N245, 3N
2008-10-09 10:48
流(IGES)：100na工作温度：-55~+150℃引线数量：3 25N120场效应管封装系列。它的本体长度为21.3mm，加引脚长度为41.55mm，宽度为16.25mm，高度为5.05mm，脚间距为
2021-10-21 17:50
编辑-Z15N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。15N120的二极管浪涌正向电流(IFM)为45A，G-E漏电流(IGES)为100nA，其
2021-12-17 17:01
