Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压：-1~-3Vth(V)封装：TO263该型号的IRF9Z24NSTRLPBF-VB是一种P沟道MOSFET晶体管，适用于
2023-12-19 10:38 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 IRF9Z24NS丝印 VBL2658品牌 VBsemi参数 P沟道,60V,30A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1~3Vth(V)；TO263该
2023-11-03 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：IRF9Z24NSPBF-VB 丝印：VBL2658 品牌：VBsemi **参数：** - 封装：TO263 - 沟道类型：P
2023-12-28 17:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**IRF1404Z-VB** 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，采用 TO220 封装。它基于 Trench 技术设计，专为需要高电流和低电阻的应用场景而优化。该
2025-09-03 14:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**IRF1405Z-VB** 是一款高性能单极N沟道MOSFET，封装形式为TO220。采用Trench技术，这款MOSFET在高电流和高电压应用中表现优异。它具有最大漏源电压为
2025-09-03 14:58 微碧半导体VBsemi 企业号
—— 芯片百科 ——描述 HFBR-0400Z 系列的元件是设计用来为工业、发电、配电、医疗、交通和游戏应用提供符合成本效益的高性能光纤通信链路。HFBR-24x2Z 光纤接收器专门
2024-12-25 17:21 深圳芯领航科技有限公司 企业号
描述 HFBR-0400Z 系列的元件是设计用来为工业、发电、配电、医疗、交通和游戏应用提供符合成本效益的高性能光纤通信链路。HFBR-24E6Z 光纤接收器专门设计用于配合
2024-12-25 17:17 深圳芯领航科技有限公司 企业号
### 产品简介**IRF2907Z-VB** 是一款高效能的 N-Channel MOSFET，封装为 TO220，专为高电流和高功率应用设计。其采用先进的 Trench 技术，能够在 80V
2025-09-03 17:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**IRF2903Z-VB** 是一款采用TO220封装的N沟道MOSFET，具有卓越的导通性能和高电流处理能力。它支持最大30V的漏源电压（V_DS）和高达260A的漏电流（I_D
2025-09-03 17:05 微碧半导体VBsemi 企业号
USB 功率传感器：NRP-Z11 频率范围：10 MHz - 8 GHz 功率范围：-67 dBm to +23 dBm.NRP-Z21 频率范围：10 MHz - 18 GHz 功率范围：-67
2024-08-29 15:17 深圳市智达仪器有限公司 企业号
