型号:IRF540S-VB丝印:VBL1104N品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:N沟道- 额定电压:100V- 最大持续电流:45A- 静态导通电阻 (RDS(O
2023-12-20 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 IRF540NSTRPBF丝印 VBL1104N品牌 VBsemi参数 N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs
2023-10-31 10:12 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: IRF540NPBF-VB丝印: VBM1104N品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: N沟道- 额定电压: 100V- 最大电流: 55A- 静态导通电阻
2023-12-14 17:58 微碧半导体VBsemi 企业号
IRF7N1405 产品概述IRF7N1405 是由 International Rectifier(国际整流器)旗下的 Hirel Products Inc. 生产的一款高功率 N 沟道
2024-10-14 14:32 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
IRL540NSPBF-VB是VBsemi品牌推出的N沟道场效应晶体管(N-Channel MOSFET),具有TO263封装。以下是详细参数说明和应用简介:**详细
2024-02-19 15:15 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:FTP540-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:- 类型:N沟道- 最大耐压:100V- 最大电流:55A- 静态开启电阻 (RDS(ON)):3
2023-12-14 09:34 微碧半导体VBsemi 企业号
处理能力,适用于要求高效能和高功率密度的应用场合。### 93E540-VB MOSFET 详细参数说明- **封装类型**: SOT669- **配置**: 单N
2024-11-23 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介**73E540-VB SOT669 MOSFET**73E540-VB SOT669是一款单通道N沟道MOSFET,采用了Trench技术,设计用于高电流和低电压应用。它具有
2024-11-19 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:IRF3205STRPBF-VB丝印:VBL1606品牌:VBsemi参数:- N沟道- 额定电压:60V- 最大漏电流:150A- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):4mΩ @ 10V-
2023-12-19 11:26 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:IRFR540ZTRPBF-VB丝印:VBE1104N品牌:VBsemi参数:- N沟道- 额定电压:100V- 最大电流:40A- 开态电阻 (RDS(ON))
2023-12-15 11:11 微碧半导体VBsemi 企业号