的电压驱动范围为±20V，饱和驱动电压VGE≥10V，一般建议饱和驱动电压VGE=15V~18V左右，工作温度范围-40℃~175℃。 IRF250属于N沟道的场效应管（MOSFET），其最高
2021-03-15 15:33
场效应管的参数常用场效应管参数表型号厂家用途构造沟道方式v111(V)区分ixing(A)pdpch(W)waixingIRF48 IR
2009-04-28 10:43
小弟要设计一个直流电机（90V,70W)正反转的控制电路，考虑用H桥，场效应管计划用IRF9630和IRF630N,控制部分采用单片机接光耦来驱动，但是光耦选哪种以及光耦驱动场
2014-09-08 21:40
场效应管的参数场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限
2009-04-25 15:43
。飞虹微电子研发的这个FHP3205低压MOS管在转换效率、安全性能等方面都是可以替换IRF1010E场效应管使用的。飞虹的这个FHP3205低压场效应管是
2019-09-03 11:28
本帖最后由 Q~Cookies 于 2012-7-28 23:32 编辑 常用场效应管参数送给需要代换查找的朋友IRF+2SJ系列场效应管
2012-07-28 23:32
制作开关电源的IRF场效应管大全
2013-08-25 20:50
场效应管。 国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。表1列出六种VMOS管的主
2021-05-13 06:40
的竞争优势等。飞虹研发的这个FHP3205低压MOS管在转换效率、安全性能等方面都是可以替换IRF1010E场效应管使用的。飞虹的这个FHP3205低压场效应管是
2019-08-29 13:59
功率放大电路和可编程rgulators等等。它们还可以用于检测和控制家电、安全监控系统以及其他依赖电力的电子设备。 第三部分 使用N型场效应管的要点 1、正确选择N型场效应
2023-03-08 14:21
