通电阻，适用于高功率应用。其最大漏源电压 (VDS) 达到 60V，栅源电压 (VGS) 可承受 ±20V 的范围，确保了良好的开关性能和稳定性。IRF1010E
2025-09-02 17:00 微碧半导体VBsemi 企业号
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2025-09-02 17:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### IRF1010PBF-VB 产品简介IRF1010PBF-VB 是一款采用 TO220 封装的单N沟道MOSFET，专为高电流和高效率应用设计。它具有60V的击穿电压，适用于中高电压电源管理
2025-09-02 17:32 微碧半导体VBsemi 企业号
### IRF1010ES-VB MOSFET 产品简介IRF1010ES-VB 是一款单通道 N 型 MOSFET，采用 TO263 封装，专为高电流、高电压应用设计。该 MOSFET 的漏极-源
2025-09-02 16:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、IRF1010EL-VB 产品简介IRF1010EL-VB 是一款高性能 N-通道 MOSFET，采用 TO262 封装。该器件专为高电流应用设计，具有 60V 的漏源电压（VDS
2025-09-02 16:46 微碧半导体VBsemi 企业号
AM020MH2-BI-R HiFET高压GaAs场效应管详解产品概述AM020MH2-BI-R是一款由AMCOM公司推出的高压GaAs场效应管（FET），属于其HiFET系列。该产品专为高频、高
2024-10-19 23:29 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### IRF1010EZPBF-VB 产品简介IRF1010EZPBF-VB 是一款采用 TO220 封装的单N沟道MOSFET，专为需要高电流和低导通电阻的应用而设计。其额定击穿电压为60V
2025-09-02 16:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介IRF1010NLPBF-VB 是一款采用 TO262 封装的单 N-沟道 MOSFET，以其卓越的性能和高电流处理能力而闻名。该 MOSFET 具有 60V 的最大漏源电压
2025-09-02 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### IRF1010ZLPBF-VB MOSFET 产品简介IRF1010ZLPBF-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO262 封装，专为高电流和高功率应用设计。其漏源电压
2025-09-02 17:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### IRF1010N-VB 产品简介**IRF1010N-VB** 是一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 TO220 封装，专为高电流和低导通电阻应用设计。采用 Trench 技术，该
2025-09-02 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号
