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型号：AM020MH2-BI-R HiFET高压GaAs<b class='flag-s-7'>场效应管</b>详 品牌：

AM020MH2-BI-R HiFET高压GaAs场效应管详解产品概述AM020MH2-BI-R是一款由AMCOM公司推出的高压GaAs场效应管（FET），属于其HiFET系列。该产品专为高频、高

2024-10-19 23:29 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IRF</b>840APBF-VB 品牌：微碧

型号  IRF840APBF-VB丝印  VBM15R13品牌  VBsemi参数   类型   N沟道场效应管（N-Channel

2023-11-20 17:09 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SVT20240NP7 品牌：

供应200v大电流mos管SVT20240NP7场效应管，提供SVT20240NP7场效应管关键参数 ，广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域，更多产品手册、应

2022-06-08 14:22 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IRF</b>9530NPBF-VB 品牌：微碧

IRF9530NPBF是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数 - 最大耐压 -100V- 最大漏极电流 -18A- 导通时的电阻（RDS(ON)） 167mΩ@10V, 178m

2023-10-27 15:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IRF</b>7401TRPBF-VB 品牌：微碧

型号: IRF7401TRPBF-VB丝印: VBA1311品牌: VBsemi参数:- 封装: SOP8- 沟道类型: N-Channel- 最大电压(Vds): 30V- 最大电流(Id

2024-01-03 15:54 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：TTK2837 品牌：

东芝场效应管 TTK2837 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属-氧化物半导体场效应管），具有以下一些特性：• 电流和电压：通常

2024-08-05 16:09 优起辰电子 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IRF</b>8736TRPBF-VB 品牌：微碧

型号: IRF8736TRPBF-VB丝印: VBA1303品牌: VBsemi参数: SOP8；N—Channel沟道, 30V；18A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V

2024-01-02 10:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SSF65R650S2 品牌：

SSF65R650S2场效应管参数• Multi-Epi process SJ-FET• 700V @TJ = 150 ℃• Typ. RDS(on) = 0.55Ω• Ultra Low

2022-04-25 11:21 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IRF</b>530NS-VB 品牌：微碧

型号：IRF530NS-VB丝印：VBL1101M品牌：VBsemi参数说明：- N沟道- 额定电压：100V- 最大电流：20A- 静态导通电阻(RDS(ON))：100mΩ@10V, 106m

2023-12-21 15:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IRF</b>7842TRPBF-VB 品牌：微碧

型号：IRF7842TRPBF-VB丝印：VBA1405品牌：VBsemi参数说明：- N沟道- 额定电压：40V- 最大电流：18A- 静态导通电阻(RDS(ON))：4.5mΩ@10V

2023-12-22 15:29 微碧半导体VBsemi 企业号