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型号：IM<b class='flag-s-7'>2132</b>-VB 品牌：微碧

IM2132-VB 丝印：VB2290 品牌：VBsemi 参数：SOT23；P—Channel沟道，-20V；-4A；RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V，VGS=12V；Vth

2024-03-20 17:15 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IRF3007<b class='flag-s-7'>SPBF</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**IRF3007SPBF-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET，采用 TO263 封装。它利用了先进的 Trench 技术，专为高电压和高电流

2025-09-03 17:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IRF1404<b class='flag-s-7'>SPBF</b>-VB 品牌：微碧

### 一、IRF1404SPBF-VB 产品简介IRF1404SPBF-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO263 封装，专为高电流和高效率应用设计。该 MOSFET 的漏源电压

2025-09-03 13:50 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IRF2204<b class='flag-s-7'>SPBF</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**IRF2204SPBF-VB** 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO263封装。它使用Trench技术制造，旨在提供高电流承载能力和低导通电阻，适合高功率应用。该

2025-09-03 15:47 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IRFZ24<b class='flag-s-7'>SPBF</b>-VB 品牌：微碧

型号：IRFZ24SPBF-VB丝印：VBL1632品牌：VBsemi参数说明：- N沟道- 额定电压：60V- 最大电流：40A- RDS(ON)：23mΩ @ 10V, 27mΩ @ 4.5V-

2023-12-18 11:05 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IRF1503<b class='flag-s-7'>SPBF</b>-VB 品牌：微碧

### IRF1503SPBF-VB 产品简介**IRF1503SPBF-VB** 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，采用 TO263 封装。它基于先进的 Trench 技术设计

2025-09-03 15:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IRF1324<b class='flag-s-7'>SPBF</b>-VB 品牌：微碧

### IRF1324SPBF-VB 产品简介IRF1324SPBF-VB 是一款高性能N沟道MOSFET，采用 TO263 封装，专为高电流、高效率应用设计。其额定击穿电压为30V，适合用于中等

2025-09-03 13:46 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IRF5305<b class='flag-s-7'>SPBF</b>-VB 品牌：微碧

型号：IRF5305SPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-60V- 最大持续电流：-30A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：58m

2023-12-22 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IRF3704<b class='flag-s-7'>SPBF</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**IRF3704SPBF-VB** 是一款高性能单极N沟道MOSFET，采用TO263封装，并基于Trench技术。这款MOSFET专为中等电压和高电流应用设计，能够提供出色的导

2025-09-04 10:57 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IRF644<b class='flag-s-7'>SPBF</b>-VB 品牌：微碧

**产品型号：** IRF644SPBF-VB**丝印：** VBL1252M**品牌：** VBsemi**参数：**- 封装：TO263- 沟道类型：N-Channel- 额定电压：250V-

2024-02-19 13:50 微碧半导体VBsemi 企业号