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型号：<b class='flag-s-7'>IPU</b>06N03-VB 品牌：微碧

### IPU06N03-VB 产品简介IPU06N03-VB 是一款N沟道MOSFET，采用TO251封装，适用于低电压大电流应用场合。该器件的漏源极电压（VDS）为30V，最大漏极电流（ID）为

2025-09-02 10:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IPU</b>135N08N3 G-VB 品牌：微碧

### 一、IPU135N08N3 G-VB 产品简介IPU135N08N3 G-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET，封装为TO251，专为高电流和高效率应用设计。其最大漏源电压为80V，栅

2025-09-02 10:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IPU</b>103N08N3 G-VB 品牌：微碧

### 一、IPU103N08N3 G-VB 产品简介IPU103N08N3 G-VB 是一款高效能的单N沟道功率MOSFET，采用 TO251 封装，专为高功率和低损耗应用设计。该器件具有80V

2025-09-02 10:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：多合一控制器<b class='flag-s-7'>IPU</b> 品牌：

         经纬恒润高压多合一控制器将新能源汽车中多个动力系统相关模块进行整合，如：整车控制器VCU、电池管理系统BMS、电机控制器MCU、车载直流电源DCDC电源模块、车载充电机OBC、高压配电盒PDU等。这种集成化设计旨在减少整车控制器数量，减轻重量，降低成本，提高可靠性及空间利用率。高压多合一控制

2024-12-05 11:07 经纬恒润 企业号