麒麟970相当于什么处理器
2021-07-28 06:04
骁龙865相当于麒麟990，在游戏表现方面，骁龙865更强，但是在日常体验方面，麒麟990更胜一筹。我的骁龙865手机就是活动时7.5折抢购的 机会不容错过http
2021-07-01 13:23
很多人会有不想接某人电话或者干脆让某人打不进来的时候，这个时候就要用到手机黑名单(来电防火墙)功能了。而许多人初接触安卓手机时都不知道怎么进行黑名单的设置，以至于很多朋
2012-11-03 10:49
安卓手机常用术语汇总，有需要的请下载
2012-07-09 11:39
stm32 u***和安卓手机端的通讯流程前段时间公司开发了一个安卓外设，主要是用某宝淘来的demo 在stm32F10
2022-02-22 08:24
预告：源代码、论文、电路图设计链接摘要随着物联网的兴起，Android手机以其独有的开放性优势正在为我们提供更多优质便捷的技术成果。本课题研究的是基于安卓手机蓝牙控制的
2021-07-19 07:49
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极之间呈电阻态，用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型，一般只要栅极加到4V（导通电压），就开始导通，随栅极电压的增高，导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧转载自http://cxtke.com/
2012-07-06 17:22
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极之间呈电阻态，用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型，一般只要栅极加到4V（导通电压），就开始导通，随栅极电压的增高，导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧转载自电子发烧友网
2012-07-09 17:37
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极之间呈电阻态，用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型，一般只要栅极加到4V（导通电压），就开始导通，随栅极电压的增高，导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧转载自http://cxtke.com/
2012-07-05 10:50
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:05 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极之间呈电阻态，用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型，一般只要栅极加到4V（导通电压），就开始导通，随栅极电压的增高，导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧
2012-07-05 12:14
