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型号：<b class='flag-s-7'>11ZR-8M-P</b> 品牌：

商品属性型号：11ZR-8M-P详细描述：11 位置矩形连 插座 连接器 IDC 锡 28AWG系列：ZR连接器类型：插座触头类型：母形插口针位数：11间距：0.059"（1.50mm）排数：1排距

2022-03-04 10:22 深圳市骏创达科技有限公司 企业号

型号：MGV075-<b class='flag-s-7'>11-P</b>55 品牌：

MGV075-11-P55MACOM 的 MGV075-11-P55 是电容为 0.13 pF、电容比为 1.7 至 2.9、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 3000

2023-04-10 16:36 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：M<b class='flag-s-7'>11</b>/M<b class='flag-s-7'>8</b> 品牌：

描述 M11/M8 磁铁是密封在一个方便可调节的螺纹塑料外壳内的。这个磁铁与我们的 MK11/M8系列干簧传感器配对（可单独出售），是接近传感的解决方案。 传

2021-06-18 11:01 斯丹麦德电子 企业号

型号：FQD<b class='flag-s-7'>11P</b>06-VB 品牌：微碧

**FQD11P06-VB 详细参数说明：**- **品牌：** VBsemi- **型号：** FQD11P06-VB- **丝印：** VBE2610N- **封装：** TO252- **类型

2024-02-20 10:13 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：M<b class='flag-s-7'>11</b>/M5, M<b class='flag-s-7'>11</b>/S<b class='flag-s-7'>8</b> 品牌：

描述 M11/M5, M11/S8 磁铁是密封在一个方便可调节的螺纹不锈钢外壳内的。这个磁铁与我们的 MK11/M5 or MK

2021-06-18 10:55 斯丹麦德电子 企业号

型号：BLS7G3135L-350<b class='flag-s-7'>P</b>,<b class='flag-s-7'>11</b> 品牌：

BLS7G3135L-350P,11：高效LDMOS射频功率晶体管，优化高频功率放大应用随着射频通信和工业应用的不断发展，对高功率、高效率射频器件的需求日益增加。BLS7G3135L-350P,

2024-10-09 10:55 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：IPD50<b class='flag-s-7'>P04P4L-11</b>-VB 品牌：微碧

型号   IPD50P04P4L-11-VB丝印   VBE2412品牌   VBsemi详细参数说明   沟道类型  P沟道 

2023-11-07 16:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>P6SMAJ11</b>ADFQ 品牌：

P6SMAJ11ADFQ   产品简介DIODES 的P6SMAJ11ADFQ这款适用于汽车需要特定变更控制的应用程序，并且具有AECQ101资格，具有PPAP能力，并且在

2023-10-19 18:12 立年电子科技 企业号

型号：FQU<b class='flag-s-7'>11P</b>06-VB 品牌：微碧

型号：FQU11P06-VB丝印：VBFB2610N品牌：VBsemi参数说明：- P沟道- 额定电压：-60V- 最大电流：-25A- 静态导通电阻(RDS(ON))：66mΩ@10V, 80m

2023-12-21 16:39 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4<b class='flag-s-7'>P03L11</b>-VB TO263 品牌：微碧

### 4P03L11-VB TO263 MOSFET 产品简介4P03L11-VB 是一款单P沟道MOSFET，采用TO263封装。该器件具备-30V的漏极电压（VDS）和±20V的栅极电压

2024-11-13 16:09 微碧半导体VBsemi 企业号