骁龙865相当于麒麟990，在游戏表现方面，骁龙865更强，但是在日常体验方面，麒麟990更胜一筹。我的
2021-07-01 13:23
麒麟970相当于什么处理器
2021-07-28 06:04
使用苹果手机的果粉都知道，主板是最贵的，而屏幕是最容易坏了。针对苹果iphone6s，屏幕碎裂的概率还是很高的。那么一个苹果iphone6s换屏幕花费多少钱？我们已经进入了iphoneX时代，但这也
2018-12-24 18:24
i5-10210U采用14nm工艺，4核心8线程，频率1.6-4.2GHz，6MB三级缓存，采用UHD核显（24 EU），TDP 15W，内存频率由DDR4-2666。i5 10210u怎么样这些点
2021-07-23 09:50
AMD Ryzen 7 5800H是基于Cezanne的大型（游戏）笔记本电脑的处理器。r7 5800h怎么样这些点很重要!看完你就知道了 https://list.jd.com/list.html
2021-07-29 06:16
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极之间呈电阻态，用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型，一般只要栅极加到4V（导通电压），就开始导通，随栅极电压的增高，导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧转载自http://cxtke.com/
2012-07-06 17:22
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极之间呈电阻态，用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型，一般只要栅极加到4V（导通电压），就开始导通，随栅极电压的增高，导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧转载自电子发烧友网
2012-07-09 17:37
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极之间呈电阻态，用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型，一般只要栅极加到4V（导通电压），就开始导通，随栅极电压的增高，导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧转载自http://cxtke.com/
2012-07-05 10:50
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:05 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极之间呈电阻态，用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型，一般只要栅极加到4V（导通电压），就开始导通，随栅极电压的增高，导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧
2012-07-05 12:14
Wi-Fi以及Quick Charge 3.0，另外还支持录制1080p视频以及最高2100万像素摄像头。 MSM8660处理器概述MSM8660是高通公司骁龙S3系
2018-09-06 20:24
