骁龙865相当于麒麟990，在游戏表现方面，骁龙865更强，但是在日常体验方面，麒麟990更胜一筹。我的
2021-07-01 13:23
麒麟970相当于什么处理器
2021-07-28 06:04
iphone6触摸失灵维修思路，欢迎交流。
2017-12-26 14:37
本帖最后由 气味大润发 于 2018-11-2 12:35 编辑 iphone6全套对地阻值图点位图
2018-11-02 12:33
纳米工艺制造与Zen 2相比，新的Zen 3架构提供了更高的IPC。AMD锐龙R7 5800H怎么样？相当...
2021-07-29 06:16
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极之间呈电阻态，用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型，一般只要栅极加到4V（导通电压），就开始导通，随栅极电压的增高，导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧转载自http://cxtke.com/
2012-07-06 17:22
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极之间呈电阻态，用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型，一般只要栅极加到4V（导通电压），就开始导通，随栅极电压的增高，导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧转载自电子发烧友网
2012-07-09 17:37
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极之间呈电阻态，用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型，一般只要栅极加到4V（导通电压），就开始导通，随栅极电压的增高，导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧转载自http://cxtke.com/
2012-07-05 10:50
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:05 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极之间呈电阻态，用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型，一般只要栅极加到4V（导通电压），就开始导通，随栅极电压的增高，导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧
2012-07-05 12:14
`无线充电已经是越来越火的话题，Android手机已经有了大量的DIY改造教程，作为手机领头羊的IPhone怎么能够缺席！！现在市面上已经有许多第三方的无线充电模块，在非常薄的塑料薄膜中内置接受线圈
2015-04-26 21:45
