### 一、6R070C6-VB产品简介**6R070C6-VB**是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用了TO247封装。该器件具有高电压耐受能力和低导通电阻,适用于需要处理高电压和高电流
2024-11-18 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### 6R380E6-VB MOSFET 产品简介6R380E6-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装。它具有650V的漏源电压和20A的漏电流能力,适合中等功率应用场合。采用了
2024-11-19 10:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介**6R190E6-VB TO247 MOSFET**6R190E6-VB TO247是一款单通道N沟道MOSFET,设计用于高压应用。它采用了SJ_Multi-EPI技术
2024-11-18 17:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介VBsemi 6R160C6-VB 是一款单N沟道场效应管,采用了SJ_Multi-EPI技术,专为高性能应用设计。具有高达650V的漏极-源极电压(VDS),适合需要高电流
2024-11-18 17:01 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介**6R600C6-VB TO220 MOSFET**6R600C6-VB TO220是一款单通道N沟道MOSFET,设计用于中压应用。它采用了SJ_Multi-EPI技术
2024-11-19 10:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介**6R450E6-VB TO220F MOSFET**6R450E6-VB TO220F是一款单通道N沟道MOSFET,设计用于高压应用。它采用了Plannar技术,具备稳定
2024-11-19 10:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 6R600P6-VB MOSFET 产品简介6R600P6-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装。它具有650V的漏源电压和12A的漏电流能力,适合中等功率应用场合。采用了
2024-11-19 11:08 微碧半导体VBsemi 企业号
的应用场合。采用了SJ_Multi-EPI技术,具有低导通电阻和良好的热稳定性,适用于工业和消费电子设备中的功率控制和开关应用。### 6R190C6-VB MO
2024-11-18 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 260N6F6-VB 产品简介**260N6F6-VB** 是一款双极性 N+N-Channel MOSFET,采用 TO263-7L 封装,适用于中压应用。它采用了 Trench 技术
2024-07-10 17:39 微碧半导体VBsemi 企业号