电子发烧友

型号：<b class='flag-s-7'>6R070C6</b>-VB 品牌：微碧

### 一、6R070C6-VB产品简介**6R070C6-VB**是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用了TO247封装。该器件具有高电压耐受能力和低导通电阻，适用于需要处理高电压和高电流

2024-11-18 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：DCF-8001RT 品牌：

8W超软硅胶垫片低粘着力、掉粉、粘膜怎么办？    在制造具有8.0 W/m·K高导热率和超软（例如：Shore 00 20）的硅胶垫片过程中，常常会遇到粘接和表面粉末脱落

2024-11-12 16:55 东超新材料导热粉 企业号

型号：HC-GPC0202134 品牌：和创磁性材料

iphone11隔磁片，无线充电专用隔磁片，无线充电接收端隔磁片当前无线充电Qi标准的频率在100-200k之间，在此频率下，纳米晶隔磁片的磁导率和钴基非晶隔磁片的磁导率非常的接近，明显高于铁基非晶

2025-12-19 14:48 深圳和创磁性材料有限公司 企业号

型号：HC-N1B5851015 品牌：和创磁性材料

iPhone无线充电发射端隔磁片 无线快充纳米晶吸波片     无线充电器作为一种时尚便捷的充电方式，越来越受到广大消费者的青睐，在手机、游戏机等消费类

2025-12-24 11:06 深圳和创磁性材料有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R190E6</b>-VB TO247 品牌：微碧

### 1. 产品简介**6R190E6-VB TO247 MOSFET**6R190E6-VB TO247是一款单通道N沟道MOSFET，设计用于高压应用。它采用了SJ_Multi-EPI技术

2024-11-18 17:22 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R160C6</b>-VB TO220F 品牌：微碧

### 1. 产品简介VBsemi 6R160C6-VB 是一款单N沟道场效应管，采用了SJ_Multi-EPI技术，专为高性能应用设计。具有高达650V的漏极-源极电压（VDS），适合需要高电流

2024-11-18 17:01 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R380E6</b>-VB 品牌：微碧

### 6R380E6-VB MOSFET 产品简介6R380E6-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。它具有650V的漏源电压和20A的漏电流能力，适合中等功率应用场合。采用了

2024-11-19 10:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R600C6</b>-VB TO220 品牌：微碧

### 1. 产品简介**6R600C6-VB TO220 MOSFET**6R600C6-VB TO220是一款单通道N沟道MOSFET，设计用于中压应用。它采用了SJ_Multi-EPI技术

2024-11-19 10:48 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R450E6</b>-VB TO220F 品牌：微碧

### 1. 产品简介**6R450E6-VB TO220F MOSFET**6R450E6-VB TO220F是一款单通道N沟道MOSFET，设计用于高压应用。它采用了Plannar技术，具备稳定

2024-11-19 10:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R600P6</b>-VB TO220F 品牌：微碧

### 6R600P6-VB MOSFET 产品简介6R600P6-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。它具有650V的漏源电压和12A的漏电流能力，适合中等功率应用场合。采用了

2024-11-19 11:08 微碧半导体VBsemi 企业号