功率密度的电源管理和开关应用。### 详细参数说明- **型号**:2N06L11-VB- **封装**:TO262F- **配置**:单N沟道- **漏源电压 (V
2024-07-11 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号
保护应用。采用Trench技术设计,具有低导通电阻和高性能特性,适合要求高电流和高效能的电子设备设计。### 二、4P03L11-VB TO220 详细参数说明-
2024-11-13 16:07 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是对MOSFET产品11N65M5-VB的产品简介、参数说明以及适用领域和模块的详细说明:### 产品简介:11N65M5-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Pl
2024-07-05 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是对MOSFET产品11N50L-TF3-T-VB的产品简介、参数说明以及适用领域和模块的详细说明:### 产品简介:11N50L-TF3-T-VB是一款单N沟道M
2024-07-05 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是对MOSFET产品11N90L-TA3-T-VB的产品简介、参数说明以及适用领域和模块的详细说明:### 产品简介:11N90L-TA3-T-VB是一款单N沟道M
2024-07-05 14:58 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是关于 **ABP1800-11-1216 宽带功率放大器** 的详细信息:### 技术参数- **频率范围**:2.0 GHz - 18.0 GHz。- **增益**:12 dB。- **增益
2025-06-03 15:21 深圳市立维创展科技有限公司 企业号
以下是对MOSFET产品11N03LA-VB的产品简介、参数说明以及适用领域和模块的详细说明:### 产品简介:11N03LA-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Tr
2024-07-05 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号
**FQD11P06-VB 详细参数说明:**- **品牌:** VBsemi- **型号:** FQD11P06-VB- **丝印:** VBE2610N- **封装
2024-02-20 10:13 微碧半导体VBsemi 企业号