功率密度的电源管理和开关应用。### 详细参数说明- **型号**:2N06L11-VB- **封装**:TO262F- **配置**:单N沟道- **漏源电压 (V
2024-07-11 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号
低导通电阻和高电压承受能力,适用于各种高压功率应用。### 参数说明- **封装**:TO220- **配置**:单N沟道- **漏源电压 (VDS)**:650
2024-07-05 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号
电压承受能力,适用于各种高压高功率应用。### 参数说明- **封装**:TO252- **配置**:单N沟道- **漏源电压 (VDS)**:650V- **栅源
2024-07-05 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
; 产品细节部分编号TCML1-11+制造商微型电路描述射频变压器,表面安装,配置。G,平衡输电线路,0.50-6,700兆赫一般参数配置转换器类
2023-08-22 11:53 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
,适用于各种高压高功率应用。### 参数说明- **封装**:TO247- **配置**:单N沟道- **漏源电压 (VDS)**:650V- **栅源电压 (V
2024-07-05 14:39 微碧半导体VBsemi 企业号
; 产品细节部分编号TC4-11+制造商微型电路描述射频变压器,表面安装,配置。不平衡到不平衡。050-2500兆赫一般参数配置转
2023-08-22 15:50 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
; 产品细节部分编号TCL1-11+制造商微型电路描述射频变压器,表面安装,配置。G,平衡输电线路,0.50-6,700兆赫一般参数配置转换器类型平衡平
2023-08-22 11:59 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
应用。### 详细参数说明- **型号**: B11NM60-VB- **封装**: TO263- **配置**: 单级N沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**:
2025-01-07 11:06 微碧半导体VBsemi 企业号
保护应用。采用Trench技术设计,具有低导通电阻和高性能特性,适合要求高电流和高效能的电子设备设计。### 二、4P03L11-VB TO220 详细参数说明-
2024-11-13 16:07 微碧半导体VBsemi 企业号