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型号：<b class='flag-s-7'>11N80</b>L-T3P-T-VB 品牌：微碧

### 11N80L-T3P-T-VB TO247 产品简介11N80L-T3P-T-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO247 封装技术。该器件具有 800V

2024-07-05 14:53 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：APT10M<b class='flag-s-7'>11</b>JVRU2 品牌：

APT10M11JVRU2型号简介      APT10M11JVRU2是Microchip推出的一款功率模块，这款模块采用了坚固的 ISOTOP® 封装

2024-11-18 11:49 立年电子科技 企业号

型号：直流<b class='flag-s-7'>充电</b>枪 品牌：

法法易轻量化直流充电枪优点：1、大电流小线径、线细枪轻   2、分线减隙技术实现轻量化    3、TPU材质耐磨耐低温符合标准：GB/T20234.1-2023

2024-10-14 15:43 东莞法法易新能源 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11N80</b>L-TA3-T-VB 品牌：微碧

### 11N80L-TA3-T-VB 产品简介**产品概述**：11N80L-TA3-T-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有低导通电阻和高电压

2024-07-05 14:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11N80</b>C3-VB TO220F 品牌：微碧

## 产品简介：VBsemi的MOSFET产品11N80C3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有800V的漏极-源极电压（VDS）和15A的漏极电流（ID）能力

2024-07-05 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11N80</b>C3-VB TO247 品牌：微碧

### 产品简介VBsemi的11N80C3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有高达800V的漏极-源极电压（VDS）和30V的栅极-源极电压（VGS）。该器件

2024-07-05 14:50 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11N80</b>C3-VB TO220 品牌：微碧

### 产品简介：11N80C3-VB TO220是一款单N沟道MOSFET，具有800V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS，±V）、3.5V的阈值电压（Vth）、380m

2024-07-05 14:48 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：River <b class='flag-s-7'>80</b>V200 品牌：

有源PFC，谐振软开关，DSP数控技术；功率因数高，谐波小，效率高；4.3寸大屏，声光告警；自动启停充电功能（选配）；防尘网设计，可适用于更恶劣的应用场地；保护功能完善：输入过压，输入欠压，输出过压

2022-03-29 14:49 东科新能源 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>80C11</b>-CR4 Tektronix 品牌：

户定义的速率，从9.8 Gb/s到12.6 Gb/s（CR4） 应用：高速光通信测试消光比和Q因子测量眼图和脉搏形状分析松弛振荡试验光信号分析符合性测试

2022-10-09 17:28 深圳市美佳特科技有限公司 企业号

型号：直流<b class='flag-s-7'>充电</b>枪 品牌：

 国标400A自然冷却直流充电枪：1、大电流小线径、线细枪轻   2、分线减隙技术实现轻量化    3、TPU材质耐磨耐低温符合标准：GB/T20234.1-2023、 GB/T20234.3-2023400A大电流，适配重卡

2025-03-18 16:26 东莞法法易新能源 企业号