,具有负向电压驱动能力,为电子设备提供高效的功率控制和管理解决方案。### 详细参数说明- **封装形式**:SOT223- **配置**:单P沟道- **漏源极
2024-12-16 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号
合下表现出色。### 二、详细参数说明- **型号**: 8N10SC-VB- **封装**: SOP8- **配置**: 单N沟道- **最大漏源电压 (VDS)*
2024-11-22 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号
在TO252外壳中,适合紧凑型和高效能的电力转换和管理应用。### 二、AP10P10GH-VB 详细参数说明- **型号**: AP10P10GH-VB- **封装**
2024-12-16 15:25 微碧半导体VBsemi 企业号
和照明等。### 详细参数说明- **包装类型(Package)**:TO220F- **配置(Configuration)**:单 N 沟道- **漏极-源极电压(
2024-07-04 17:24 微碧半导体VBsemi 企业号
了解了,以下是关于10N60H-VB型号的产品简介、详细参数说明及其应用领域和模块的示例说明。### 产品简介**10N60H-VB**是一款高压N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装。该产品
2024-07-04 17:05 微碧半导体VBsemi 企业号
的应用,具有高可靠性和稳定性。### 二、240N10F7-VB详细参数说明- **型号:** 240N10F7-VB- **封装类型:** TO220- **配置
2024-07-10 15:02 微碧半导体VBsemi 企业号
用。### AP30P10GI-VB 参数说明- **封装类型**:TO220F- **配置**:单P-通道- **漏源极电压 (VDS)**:-100V- **栅极电压
2024-12-17 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号