### 一、产品简介VBsemi 8N10SC-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用SOP8封装，设计用于中等功率和高效率的电源管理和开关应用。其优异的性能参数和适中的电压能力使其在多种应用场
2024-11-22 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号
在多种电路设计中实现高效的功率开关和控制。### AM8958M8R-VB 详细参数说明- **封装形式**: SOP8- **配置**: 双N+P沟道- **漏
2024-12-02 15:24 微碧半导体VBsemi 企业号
电流处理能力，适用于各种电源管理和负载开关应用。### 二、AM4812M8R-VB 详细参数说明- **型号**: AM4812M8R-VB- **封装类型**:
2024-12-02 10:53 微碧半导体VBsemi 企业号
应用提供了理想的解决方案。### 详细参数说明- **型号**: AM4920M8VR-VB- **封装**: SOP8- **配置**: 双 N+N 通道- **
2024-12-02 11:25 微碧半导体VBsemi 企业号
具有-30V的漏源极电压额定值，采用先进的Trench技术，以提供低导通电阻和高效的功率转换特性。#### 产品参数详细说明- **型号**: AFP4637S8R
2024-11-28 15:25 微碧半导体VBsemi 企业号
能力，适合要求较高功率密度和效率的电子系统。### 详细的参数说明- **封装类型**: SOP8- **晶体管配置**: 单N沟道- **漏源电压 (VDS)**
2024-11-28 14:33 微碧半导体VBsemi 企业号
的Trench（沟槽）技术，具有低导通电阻和高速开关特性。### 详细的参数说明- **封装类型**: SOP8- **晶体管配置**: 单N沟道- **漏源电压
2024-11-28 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号
导通电阻和高电流承载能力。### 产品详细参数- **封装**: SOP8- **配置**: 双N+P沟道- **VDS (漏-源电压)**: ±30V- **V
2024-12-02 15:25 微碧半导体VBsemi 企业号
。### 详细参数说明- **型号**：AFP4925SS8RG-VB- **封装类型**：SOP8- **配置**：Dual-P+P-Channel- **最大漏源电
2024-11-28 15:29 微碧半导体VBsemi 企业号
（沟槽）技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率管理和电源控制应用。### 详细的参数说明- **封装类型**: SOP8- **晶体管配置**: 双N沟
2024-11-28 13:55 微碧半导体VBsemi 企业号
