导通电阻和高电流承载能力。### 产品详细参数- **封装**: SOP8- **配置**: 双N+P沟道- **VDS (漏-源电压)**: ±30V- **V
2024-12-02 15:25 微碧半导体VBsemi 企业号
(沟槽)技术,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种功率管理和电源控制应用。### 详细的参数说明- **封装类型**: SOP8- **晶体管配置**: 双N沟
2024-11-28 13:55 微碧半导体VBsemi 企业号
能力,适合要求较高功率密度和效率的电子系统。### 详细的参数说明- **封装类型**: SOP8- **晶体管配置**: 单N沟道- **漏源电压 (VDS)**
2024-11-28 14:33 微碧半导体VBsemi 企业号
的Trench(沟槽)技术,具有低导通电阻和高速开关特性。### 详细的参数说明- **封装类型**: SOP8- **晶体管配置**: 单N沟道- **漏源电压
2024-11-28 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号