合下表现出色。### 二、详细参数说明- **型号**: 8N10SC-VB- **封装**: SOP8- **配置**: 单N沟道- **最大漏源电压 (VDS)*
2024-11-22 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号
导通电阻和高电流承载能力。### 产品详细参数- **封装**: SOP8- **配置**: 双N+P沟道- **VDS (漏-源电压)**: ±30V- **V
2024-12-02 15:25 微碧半导体VBsemi 企业号
。### 详细参数说明- **型号**:AFP4925SS8RG-VB- **封装类型**:SOP8- **配置**:Dual-P+P-Channel- **最大漏源电
2024-11-28 15:29 微碧半导体VBsemi 企业号
(沟槽)技术,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种功率管理和电源控制应用。### 详细的参数说明- **封装类型**: SOP8- **晶体管配置**: 双N沟
2024-11-28 13:55 微碧半导体VBsemi 企业号
为SOP8,适合于需要高效能量转换和稳定性能的电子设备应用。### 详细参数说明- **封装类型**:SOP8- **配置**:单N沟道- **漏源电压 (VDS)**
2024-11-28 13:48 微碧半导体VBsemi 企业号
在多种电路设计中实现高效的功率开关和控制。### AM8958M8R-VB 详细参数说明- **封装形式**: SOP8- **配置**: 双N+P沟道- **漏
2024-12-02 15:24 微碧半导体VBsemi 企业号
电流处理能力,适用于各种电源管理和负载开关应用。### 二、AM4812M8R-VB 详细参数说明- **型号**: AM4812M8R-VB- **封装类型**:
2024-12-02 10:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介VBsemi 8N50H-VB 是一款单N沟道场效应管(MOSFET),采用TO220F封装。该器件适用于高压应用,具有低导通电阻和较高的漏极电流承载能力。### 二、详细参数
2024-11-22 16:07 微碧半导体VBsemi 企业号
应用。其封装为SOP8,具有优异的导通特性和高电流承载能力。### 详细参数说明- **封装类型**:SOP8- **配置**:单N沟道- **漏源电压 (VDS)**
2024-11-28 14:04 微碧半导体VBsemi 企业号