的HMC6301BG46P7是一款专为V频段设计的RF接收器,采用eWLB封装技术,旨在提供高性能和高集成度。本文将详细介绍该产品的技术参数、应用领域,以及它如何帮助
2024-11-07 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
应用。### 二、详细参数说明- **型号**: 7D5N60P-VB- **封装**: TO220- **配置**: 单N沟道- **最大漏源电压 (VDS)**:
2024-11-20 16:56 微碧半导体VBsemi 企业号
的HMC6300BG46P7是一款专为V频段设计的RF发射器,采用eWLB(增强型无铅晶圆级封装)技术,旨在提供高性能和高集成度。本文将详细介绍该产品的技术参数、应用领域,以及它如何帮
2024-11-07 10:20 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
MOSFET采用先进的沟槽技术,确保了卓越的热稳定性和开关性能,能够在苛刻的工作环境中稳定运行。AUIRF2804S-7P-VB的双N沟道配置使其在多种高电流应用中表现出色
2025-01-03 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号
一、产品简介:FQT7P06-VB是VBsemi生产的P沟道场效应管,具有-60V的漏极-源极电压额定值,能够承受最大-6.5A的电流。其特点包括低导通电阻(RDS(ON))为58mΩ,在VGS
2024-06-01 16:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### AUIRF3805S-7P-VB MOSFET 产品简介AUIRF3805S-7P-VB 是一款高性能的双 N 沟道 MOSFET,采用 TO263-7L 封装,专为高电流和高功率
2025-01-03 15:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AUF3805S-7P-VB是一款高性能双N通道MOSFET,封装形式为TO263-7L,采用Trench技术。该MOSFET设计用于高电流和高功率应用,能够在60V的漏源电压下稳定
2025-01-02 15:57 微碧半导体VBsemi 企业号
的应用场合。### 详细参数说明- **型号**: AM50P10-117P-VB- **封装**: TO220- **配置**: 单
2024-12-02 13:53 微碧半导体VBsemi 企业号