以下是对MOSFET产品11N65M5-VB的产品简介、参数说明以及适用领域和模块的详细说明:### 产品简介:11N65M5-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Pl
2024-07-05 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是对MOSFET产品11N90L-TA3-T-VB的产品简介、参数说明以及适用领域和模块的详细说明:### 产品简介:11N90L-TA3-T-VB是一款单N沟道M
2024-07-05 14:58 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是对MOSFET产品11N03LA-VB的产品简介、参数说明以及适用领域和模块的详细说明:### 产品简介:11N03LA-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Tr
2024-07-05 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是关于 **ABP1800-11-1216 宽带功率放大器** 的详细信息:### 技术参数- **频率范围**:2.0 GHz - 18.0 GHz。- **增益**:12 dB。- **增益
2025-06-03 15:21 深圳市立维创展科技有限公司 企业号
以下是对MOSFET产品11N50L-TF3-T-VB的产品简介、参数说明以及适用领域和模块的详细说明:### 产品简介:11N50L-TF3-T-VB是一款单N沟道M
2024-07-05 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号
导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时为430mΩ,具有18A的漏极电流(ID)和3.5V的阈值电压(Vth)。### 参数说明- **型号**: 11N6
2024-07-05 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:11NM60ND-VB TO252**VBsemi的11NM60ND-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,采用先进的SJ_Multi-EPI技术设计,具有低导通电阻和高
2024-07-05 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
Ω@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及11A的漏极电流(ID)。采用SJ_Multi-EPI技术制造。### 参数说明:- **Package(封装)
2024-07-05 15:04 微碧半导体VBsemi 企业号
## 产品简介:VBsemi的MOSFET产品11N40L-TA3-T-VB是一款单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术,具有650V的漏极-源极电压(VDS)和11A的漏极电流
2024-07-05 14:21 微碧半导体VBsemi 企业号