### 一、IPD85P04P4L-06-VB 产品简介 IPD85P04P4L-06-VB 是一款高性能单P沟道MOSFET,采用TO252封装,适用于要求低导通电阻和高电流处理能力
2025-08-27 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、IPD50N06S3L-06-VB 产品简介:IPD50N06S3L-06-VB 是一款封装为TO252的单N沟道功率MOSFET,专为60V的应用设计。该器件在±20V的栅源电压
2025-08-27 10:17 微碧半导体VBsemi 企业号
## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件,它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻,适用于各种需要高电压和高电流驱动
2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介型号: IPD350N06LG-VB 丝印: VBE1638 品牌: VBsemi 封装: TO252 IPD350N06
2024-06-03 17:46 微碧半导体VBsemi 企业号
**IPD30N06S4L-23-VB 详细参数说明:**- **品牌:** VBsemi- **型号:** IPD30N06S4L-23-VB- **丝印:** VBE1638- **封装
2024-02-20 10:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、IPD90N06S3L-07-VB 产品简介IPD90N06S3L-07-VB 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO252 封装。该 MOSFET 设计用于处理 60V
2025-08-27 15:15 微碧半导体VBsemi 企业号
### IPD400N06N G-VB MOSFET 产品简介IPD400N06N G-VB 是一款采用 TO252 封装的 N 沟道 MOSFET,专为高效功率管理应用而设计。其具备 60V 的漏
2025-08-26 17:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、IPD80N04S3-06-VB 产品简介:IPD80N04S3-06-VB 是一款封装为TO252的单N沟道功率MOSFET,专为高效能开关应用设计。其最大漏源电压(VDS)为40V
2025-08-27 14:30 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: IPD06N03LAG-VB丝印: VBE1206品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: N—Channel- 额定电压: 20V- 额定电流: 145A- 导通电阻 (RDS
2024-01-02 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号