型号:IPD036N04L-VB丝印:VBE1405品牌:VBsemi参数:- N沟道- 额定电压:40V- 最大电流:85A- 开态电阻 (RDS(ON)):4mΩ @ 10V, 5m
2023-12-15 11:27 微碧半导体VBsemi 企业号
## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件,它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻,适用于各种需要高电压和高电流驱动
2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:IPD50P04P4-13-VB丝印:VBE2412品牌:VBsemi参数说明:- 极性:P沟道- 额定电压:-40V- 最大连续漏极电流:-65A- 静态漏极-源极电阻(RDS
2023-12-14 16:50 微碧半导体VBsemi 企业号
根据提供的型号和参数,以下是对该 MOSFET 型号 IPD90N04S4-05-VB 的详细参数和应用简介:**型号:** IPD90N04S4-05-VB**丝印:** VBE1405**品牌
2023-12-18 17:18 微碧半导体VBsemi 企业号
IPD640N06LG (VBE1638)参数说明:N沟道,60V,45A,导通电阻24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压1.8V,封装:TO252。应用简介
2023-12-06 15:33 微碧半导体VBsemi 企业号
## 产品简介IPD30N06S2-23-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。该器件具有高电压、高电流和低导通电阻的特点,适用于各种功率控制和开关应用。其TO252封装形式适合于普通焊接工
2024-06-03 17:40 微碧半导体VBsemi 企业号