IMD2 工艺与 IMD1工艺类似。IMD2 工艺是指在第二层金属与第三层金属之间形成的介质材料，形成电性隔离。
2024-10-25 14:49
IMD1工艺是指在第一层金属之间的介质隔离材料。IMD1的材料是 ULK （Ultra Low K）SiCOH材料。
2024-11-15 09:14
IML是IMD工艺的一个类别，IMD的全称是In-Mold Decoration，也叫模内装饰镶嵌注塑技术，也就是将印刷好的薄膜成型后，镶嵌在注塑模腔内然后合模注塑，注塑树脂在薄膜的背面与油墨层
2018-09-09 09:40
在低IMD（交调失真）的环境下铁磁材料上面的涂层厚度至少要有4-5倍趋肤深度的厚度（一般>6um），减少接触电阻，最好采用镀银层，但银容易变色，特殊环境需考虑镀金。
2019-02-04 15:47
本文旨在检验DS1802双通道数字电位器的音频特性。开发测试电路的目的是测量抽头点之间的绝对误差、通道间匹配或两个电位计刮水器之间的跟踪、总谐波失真（THD）、互调失真（IMD）和串扰。
2023-06-09 15:50
交调失真(IMD)是用于衡量放大器、增益模块、混频器和其他射频元件线性度的一项常用指标。二阶和三阶交调截点(IP2和IP3)是这些规格参数的品质因素，以其为基础可以计算不同信号幅度下的失真积...
2013-10-21 11:12
IMD3性能。 该RF性能使GHz级转换器可实现最佳性能，而且不像通常的GaAs放大器，它对驱动放大器或总功耗的限制极小。 该器件可轻松驱动10位至16位HS转换器。
2025-03-13 09:39
，主要对策是限制带宽，以从通带中排除斩波噪声和IMD伪影。对于具有固定斩波器频率的自动归零放大器，这通常将其应用限制在低于1或2 kHz的直流或低频信号上。
2023-02-03 11:08
晶体管，通过优化载波放大器和峰值放大器的栅极偏置电压改善三阶互调失真(IMD3)，同时通过调节输入功率分配比例改善由于峰值放大器对载波放大器牵引不足导致的失配问题，从而改善不对称Doberty功率放大器的输出性能。
2019-03-15 10:48
Nanusens在它的CMOS芯片层中制造纳米级的传感器，CMOS芯片也有控制电子。金属间介电介质(IMD)通过钝化层中的衬垫开口被蚀刻，使用蒸气高频 (vHF)来创建纳米传感器结构。然后将孔密封
2019-02-28 15:21
