IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率
2023-12-18 09:40
IGBT与MOSFET不同，内部没有寄生的反向二极管，因此在实际使用中(感性负载)需要搭配适当的快恢复二极管。
2023-03-24 11:11
IGBT的输出特性通常表示的是以栅极-发射极电压VGE为参变量时，漏极电流IC和集电极-发射极电压VCE之间的关系曲线。
2023-06-06 10:52
IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，所以它是一个有MOS Gate的BJT晶体管。奇怪吧，它到底是MOSFET还是BJT？其实都不是又都是。不绕圈子了，他就是MOSFET和BJT的组合体。
2022-10-09 09:19
绝缘栅双极晶体管(IGBT),IGBT是什么意思 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件
2010-03-04 15:54
IGBT是新型功率半导体器件中的主流器件，已广泛应用于多个产业领域。IGBT模块中所涉及的焊接材料大多精密复杂且易损坏，制造商在IGBT模块焊接装配过程中正面临着重重挑战。
2023-10-31 09:53
IGBT （绝缘栅双极晶体管）作为一种功率半导体器件，广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。
2023-03-17 17:33
IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的简称，中文称作绝缘栅双极型晶体管，是由BJT (双极型三极管) 和MOS (绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2023-12-12 09:54
IGBT（绝缘栅双极型晶体管，Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种半导体器件，结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的输入特性和双极型晶体管（BJT
2024-02-06 15:36
当集电极被施加一个反向电压时， J1 就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度，将无法取得一个有效的阻断能力，所以，这个机制十分重要。另一方面，如果过大地增加这个区域尺寸，就会连续地提高压降。 第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效（IC 和速度相同） PT 器件的压降高的原因。
2017-05-14 09:00
