硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下
2023-02-27 16:03
igbt和碳化硅区别是什么？ IGBT和碳化硅都是半导体器件，它们之间的区别主要体现在以下几个方面。 一、材料： IGBT
2023-08-25 14:50
在全球范围内，有多家企业生产IGBT/碳化硅模块，以下是一些知名的企业。
2024-01-25 14:01
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面
2019-12-09 13:58
在光伏系统的最大功率点跟踪（MPPT）设计中，IGBT、碳化硅（SiC）器件及其组合方案的选择直接影响系统效率、成本和可靠性。
2025-02-05 14:41
，这一块也是金航标产品的研发方向。萨科微slkoric（www.slkoric.com）半导体研发的igbt、碳化硅场效应管、ldo电源管理芯片，也广泛应用于逆变器、电池管理等场合，和金航标的信号连接器一起使用！
2023-06-25 11:24
Si IGBT和SiC MOSFET之间的主要区别在于它们可以处理的电流类型。一般来说，MOSFET更适合高频开关应用，而IGBT更适合高功率应用。
2023-10-17 14:46
当充电桩向高压架构发展的趋势越来越明显，高性能MOSFET的需求也越来越大，通过改进器件结构的超级结MOSFET应运而生了。
2023-02-13 12:15
对于这些电力电子系统中使用的拓扑结构，从经典的两电平变流器到更先进的无源或有源控制的T型或 3 电平 NPC 拓扑，再到更复杂的变流器
2023-10-16 14:19
