了外部连接线和焊接点，降低了系统复杂性和潜在的故障率。 性能优化： 由于IPM是为特定的功率元件定制优化的，因此它们通常提供更好的电气性能，如更低的导通损耗和更快的开关速度。 高可靠性： IGBT IPM内置有各种保护功能，包括过流、过压、欠压、过热和短路保护，能
2024-02-23 10:50
SCR的开关时间较长，所以频率不能太高，一般在3-5KHZ左右；IGBT的开关频率较高。IGBT模块可达30KHZ左右，IGBT单管开关频率更高，达50KHZ以上。
2019-07-30 10:09
然而，在实际应用中，工程师们都会遇到一个相同的困惑：器件的选型着实令人头疼。对此，小编感同身受。今天，我们就一起来看看MOSFET和IGBT之间的有哪些异同点，在选型时应着重查看哪些参数。
2022-01-01 09:16
为了理解IGBT进入退饱和的过程机理，我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别：简单来看，IGBT在MOSFET的基本结构上增加了一个P+层提供空穴载流子
2023-01-17 13:59
英飞凌公司高级经理陈子颖在高工电动车·电动物流车产业峰会上，发表了《电动商用车IGBT模块的关键技术及应用要求》的精彩演讲，详细阐述了IGBT的标准体系、电动商用车IGBT模块应用特点等内容。
2018-07-29 09:33
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用MOS管，而有些电路用IGBT管？
2022-07-11 09:09
IGBT及MOSFET隔离驱动为可靠驱动绝缘栅器件，目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时，驱动电路的设计是比较简单的，目前也有了许多优秀的驱动集成电路。
2021-02-08 17:38
多的这个P层因内有载流子，有电导调制作用，可以使IGBT在跟高电压和电流下，有很低的压降，因此IGBT可以做到很高电压（目前最大6500V），但由于载流子存在，
2017-05-14 10:09
逆变器中使用的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）或IGBT（Insulated Gate Bipolar
2024-10-08 17:00
