本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑 IGBT失效分析大概有下面几个方面：1、IGBT过压失效，Vge和Vce、二极管反向电压失效等。2、IG
2012-12-19 20:00
IGBT驱动电路分析
2015-03-27 16:09
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 编辑 IGBT保护分析
2012-07-24 23:08
本资料的主要内容详细介绍了IGBT相关使用指南，包括用于IGBT驱动的集成芯片TLP250、EXB8..Series等芯片的结构简图，典型特征和使用方法；
2019-03-05 14:30
的IGBT门极开通电压尖峰是怎么回事? 图1a IGBT门极开通尖峰 图1b IGBT门极开通尖峰机理分析：IGBT门极
2021-04-26 21:33
IGBT的使用方法IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗
2020-09-29 17:08
IGBT并联技术分析胡永宏博士（艾克思科技）通过电力电子器件串联或并联两种基本方法，均可增大电力电子装置的功率等级。采用这两种方法设计的大功变流器，结构相对简单，加之控制策略与小功率变流器相兼容
2015-03-11 13:18
现在要驱动一个IGBT，IGBT开启电压Vge为15V，现在要选择一个输出20V以上的驱动芯片，满足要求的有哪些型号？我现在手里的驱动芯片资料，最大的只有18V。
2013-05-05 13:23
变化速度要远远低于温度循环，虽然模块的开关频率较温度循环增加了近百倍，但是模块的寿命并没有减少，说明开关频率对于IGBT模块芯片的冲击造成的影响要远远小于温度对于模块寿命的影响。 在后续的工作中，可以
2020-12-10 15:06
似)。在图 1 所示的电路中，在市电电源 Us 的正半周期，将 Ug2.4 所示的高频驱动信号加在下半桥两只 IGBT 的栅极上，得到管压降波形 UT2D。其工作过程分析如下：在 t1～t2 时刻，受
2019-12-27 08:30
