电机驱动部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管芯片）。
2023-10-19 11:12
此次专利的申请日期为2023年8月22日，授权公示日为2024年3月26日，授权公告号为CN116779666B。此项专利主要涉及的新型IGBT芯片结构，其特征在于采用自上而下的顶层金属层、ESD
2024-04-01 10:30
IGBT器件的结构和工作原理
2024-02-21 09:41
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片与IGBT模块在电力电子领域中扮演着至关重要的角色，它们在结构、功能、应用及性能等方面存在显著的差异。以下是对两者区别的详细探讨，旨在
2024-08-08 09:37
场效应晶体管（MOSFET）的特点，具备高电压、大电流和高速开关等优良性能。IGBT的基本结构可以分为表面栅极结构和体Si结构两部分，以下是对其
2024-08-08 09:46
MOSFET和IGBT内部结构不同，决定了其应用领域的不同。
2023-11-03 14:53
）和BJT（双极型接面晶体管）的优点，具有高功率密度、低开关损耗和低导通压降等特性，因此在电力电子设备中占据了核心地位。本文将详细阐述IGBT芯片的定义、结构、工作原理以及其在各个领域的应用，旨在为读者提供全面深入的
2024-05-23 15:39
领域得到了广泛的应用。 一、IGBT的结构与工作原理 IGBT是三端器件，三个极为漏极（D）、栅极（G）和源极（S）。 当栅极电压为正时，栅极下方的P型
2024-01-17 11:37
igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么？ IG
2023-11-10 14:26
为了更好了解IGBT，下面我们再来看看它的内部结构：一般，IGBT 有三个端子：集电极、发射极和栅极，他们都是附有金属层。但是，栅极端子上的金属材料具有二氧化硅层。IGBT
2023-02-22 15:58
