我们需要先将结电容与关断波形联系起来。三个结电容的容值是Vds电压的函数，同时，电压Vds的变化（dv/dt）又与结电容相关。
2023-12-05 18:04
极间电容和分布电容都不是结电容 。以下是关于这三种电容的详细解释： 1. 极间电容 定义 ：极间
2024-09-27 10:46
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件，具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关速度等特点。然而，IGBT在长时间工作过程中，由于各种因素的作用，会出现老化现象，影响其性能
2024-08-07 18:18
EE工程师都会面临MOSFET的选型问题，无论是功率级别应用的Power MOS还是信号级别的Signal MOSFET，他们的Datasheet中，一定会给出MOSFET的三个
2023-12-05 17:32
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31
东芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET
2012-03-16 13:43
MOSFET与IGBT的区别
2023-11-27 15:36
在具有最小Eon损耗的ZVS 和 ZCS应用中，MOSFET由于具有较快的开关速度和较少的关断损耗，因此能够在较高频率下工作。
2023-04-01 10:33
