PN结电容分为两部分，势垒电容和扩散电容。 PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变，从而显现电容效应。 当所加的正向电压升高时，多
2021-06-01 07:55
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑 N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23
的问题，如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑，可以总结出以下几点：详细的讲解，见附件。。。。。。MOSFET和IGBT 硬件驱动电路对比讲解1、MOSFE作为大功率器件的驱动方案 2、
2021-03-02 13:47
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的。IGB
2021-10-29 08:28
的效率密切相关。 对于门驱动器或者逆变器应用，通常需要选择低输入电容 (利于快速切换) 以及较高驱动能力的MOSFET。 03 IGBT适合高压大电流应用 与MOSFET
2022-06-28 10:26
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:46 编辑 pwm高电平的时候，igbt导通，pwm低电平的时候，igbt截至。利用导通和截至分别给后面的电感和电容充电，这样既可以实现
2012-07-09 15:27
（Mosfet和 IGBT）把直流电源变为交流型电源；通过变压器变出一定的电压，再整流后得到我们想要的目标电源。为了适应输入电压的波动范围，我们通过电压反馈和电流反馈来调节控制开关导通与关断信号的占空比
2012-07-04 17:05
（Mosfet和 IGBT）把直流电源变为交流型电源；通过变压器变出一定的电压，再整流后得到我们想要的目标电源。为了适应输入电压的波动范围，我们通过电压反馈和电流反馈来调节控制开关导通与关断信号
2012-07-06 15:47
，PCB板的连线之间彼此不宜太近，过高的dv/dt会由寄生电容产生耦合噪声。要减少器件之间的寄生电容，避免产生耦合噪声。 由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容
2011-08-17 09:26
