与IGBT的比较中，开关特性与SJ MOSFET同样优异。Hybrid MOS可高速开关，而这是IGBT的弱点。只要能提高开关频率的速度，即可减少组成电路的电感和电容器
2018-11-28 14:25
等效的多数载流子MOSFET关断时，在IGBT少数载流子BJT中仍存在存储时间延迟td(off)I。不过，降低Eoff驱动阻抗将会减少米勒电容 (Miller capacitance) CRES和关断
2018-08-27 20:50
`目前，IGBT技术正全面快速的更新换代，IGBT器件也在各个领域广泛应用，为了进一步了解IGBT特性，从而满足器件性能、参数的进一步提升和优化，对IGBT内部
2019-12-02 09:24
本帖最后由 24不可说 于 2018-10-10 08:23 编辑 MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同. 1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上
2017-04-15 15:48
性能。正确的栅极驱动顺序可使IGBT栅极信号在第二个集电极电流过零点以前不被清除，从而显著降低IGBT ZCS Eoff 。MOSFET的Eoff能耗是其米勒电容Crs
2021-06-16 09:21
MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同. 1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强,IXY
2025-03-25 13:43
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-I
2018-12-03 14:29
的问题，如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑，可以总结出以下几点：详细的讲解，见附件。。。。。。MOSFET和IGBT 硬件驱动电路对比讲解1、MOSFE作为大功率器件的驱动方案 2、
2021-03-02 13:47
过零点以前不被清除，从而显著降低IGBT ZCS Eoff 。MOSFET的 Eoff能耗是其米勒电容Crss、栅极驱动速度、栅极驱动关断源阻抗及源极功率电路路径中寄生电感的函数。该电路寄生电感Lx
2019-03-06 06:30
的效率密切相关。 对于门驱动器或者逆变器应用，通常需要选择低输入电容 (利于快速切换) 以及较高驱动能力的MOSFET。 03 IGBT适合高压大电流应用 与MOSFET
2022-06-28 10:26
