我们需要先将结电容与关断波形联系起来。三个结电容的容值是Vds电压的函数，同时，电压Vds的变化（dv/dt）又与结电容相关。
2023-12-05 18:04
MOSFET和IGBT的对比 MOSFET工作原理 MOSFET （metal Oxide Semiconductor
2023-02-22 13:56
极间电容和分布电容都不是结电容 。以下是关于这三种电容的详细解释： 1. 极间电容 定义 ：极间
2024-09-27 10:46
本文介绍了PN的结电容效应。
2017-11-23 14:10
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件，具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关速度等特点。然而，IGBT在长时间工作过程中，由于各种因素的作用，会出现老化现象，影响其性能
2024-08-07 18:18
的开关速度更快，更适合高频工作场合。谐振型开关电源一般都采用MOSFET。本节分析对比了IGBT和MOSFET的开关损耗产生机理，为LLC谐振变换器工作区域的确定提供了
2020-04-08 08:00
与IGBT的比较中，开关特性与SJ MOSFET同样优异。Hybrid MOS可高速开关，而这是IGBT的弱点。只要能提高开关频率的速度，即可减少组成电路的电感和电容器
2018-11-28 14:25
EE工程师都会面临MOSFET的选型问题，无论是功率级别应用的Power MOS还是信号级别的Signal MOSFET，他们的Datasheet中，一定会给出MOSFET的三个
2023-12-05 17:32
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31
