IGBT的结构和工作原理 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅
2010-03-04 15:55
虽然有些人可能将 IGBT 视为“传统”技术，但它在高功率应用中仍然发挥着重要作用。
2023-09-11 09:41
栅极相对于发射极施加正电压（VGE），可以使集电极与发射极之间导通，从而流过集电极电流（IC）。 下面提供了表示IGBT结构的简化示意图（截面图）和等效电路图。蓝色箭头指示了集电极电流（IC）的流向。通过与旁边的等效电路图进行比较，可以更好
2024-02-06 16:14
IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，所以它是一个有MOS Gate的BJT晶体管。奇怪吧，它到底是MOSFET还是BJT？其实都不是又都是。不绕圈子了，他就是MOSFET和BJT的组合体。
2022-10-09 09:19
IGBT实在BDMOS型功率场效应管的基础上发展起来的。在VDMOS结构的漏极侧N+层下，增加一个P+层发射极而行程pn，如图1-31所示，就构成
2010-11-09 17:01
MOS管和IGBT是现代电子技术中两种非常重要的半导体器件，它们在电力电子、能量转换、汽车电子等多个领域有着广泛的应用。尽管它们都是半导体开关器件，但它们的结构特点、工作原理及应用场景存在显著差异
2024-06-09 14:24
IGBT的结构 一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区
2021-06-12 17:22
1.IGBT的基本结构 绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国
2010-05-27 17:29
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
2018-06-28 09:51
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，翻译为绝缘栅双极晶体管，是一种高性能功率半导体器件。它结合了MOSFET和双极晶体管的优点，具有MOSFET输入电阻低、双极晶体管输出电流大的特点，是目前常用的高压、大电流开关器件之一。
2023-02-28 18:12
