IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
2018-06-28 09:51
因为最近工作中比较多的涉及到IGBT，所以今天我们来聊一聊IGBT的设计的相关要点，当然只是从我们比较关心的几点出发，概括性地来说一说。而没有深入到物理参杂等方面，希望可以对你们有所帮助。
2019-06-29 09:44
因为IGBT大部分应用场景都是感性负载，在IGBT关断的时候，感性负载会产生很大的反向电流，IGBT不能反向导通，需要在IGBT的两端并联一个快速恢复二极管（FRD）来
2024-10-15 15:26
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
2017-05-03 10:15
GTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有好的特性。80年代中期问世以来，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市场，中小功率电力电子设备的主导器件。
2017-06-05 17:01
IGBT作为具有开关速度快，导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及低的开关损耗。作为开关器件，研究它的开通和关断过程当然是必不可少的，今天我们就来说说
2019-01-01 15:04
IGBT 作为一种功率半导体器件，广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点，是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面
2023-12-26 13:31
为了理解IGBT进入退饱和的过程机理，我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别：简单来看，IGBT在MOSFET的基本
2023-01-17 13:59
NPT-IGBT 结构虽然没有缓冲层，但是它的反向阻断能力依然很差，因为芯片的尺寸是有限的，在切割芯片时，如果切割线穿过了承受高压的pn结，晶格损伤和应力会引起很大的反向漏电流，导致击穿电压和长期稳定性的降低。
2018-12-28 15:55
。这个参数对于整个电力电子系统的效率和性能至关重要。导通压降的大小受到多种因素的影响，以下是一些主要因素的分析： IGBT的结构和设计 ： 栅极氧化层厚度 ：栅极氧化层的厚度会影响IGBT的导通压降。氧化层越薄，导通
2024-09-19 14:51
