IGBT的结构和工作原理 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅
2010-03-04 15:55
虽然有些人可能将 IGBT 视为“传统”技术，但它在高功率应用中仍然发挥着重要作用。
2023-09-11 09:41
2025-03-10 11:47
2025-03-10 11:46
栅极相对于发射极施加正电压（VGE），可以使集电极与发射极之间导通，从而流过集电极电流（IC）。 下面提供了表示IGBT结构的简化示意图（截面图）和等效电路图。蓝色箭头指示了集电极电流（IC）的流向。通过与旁边的等效电路图进行比较，可以更好
2024-02-06 16:14
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:47 编辑 有哪位高手可以解释一下N- LAYER , N+ BUFFER LAYER , 以及P+衬底的作用，希望能够详细一点，我在晚上实在查不到，如果可以的话，按这张图的每一个区都解释下，十分感谢！{:soso_e101:}
2011-09-08 23:52
IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，所以它是一个有MOS Gate的BJT晶体管。奇怪吧，它到底是MOSFET还是BJT？其实都不是又都是。不绕圈子了，他就是MOSFET和BJT的组合体。
2022-10-09 09:19
超结IGBT的结构特点及研究进展
2023-08-08 10:11
本文档的主要内容详细介绍的是IGBT的基本结构和工作原理等资料合集说明包括了：IGBT 的基本结构，IGBT 的工作原理
2020-09-10 08:00
IGBT实在BDMOS型功率场效应管的基础上发展起来的。在VDMOS结构的漏极侧N+层下，增加一个P+层发射极而行程pn，如图1-31所示，就构成
2010-11-09 17:01
