障碍!MOS管MOS管即MOSFET，中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性，输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等
2019-05-02 22:43
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT
2020-07-19 07:33
［1］中有详细描述。质子辐照的剂量各不相同，使得可以获得具有各种静态和动态特性组合的芯片。氢原子的路径长度保持不变。实验性IGBT设计用于在混合（Si / SiC）模块中与SiC肖特基二极管一起
2023-02-22 16:53
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特
2019-05-06 05:00
这里以单个IGBT管为例（内含阻尼二极管），IGBT管的好坏可用数字万用表的“二极
2012-04-18 16:15
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 编辑 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管
2012-07-09 11:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管
2012-07-09 10:01
晶体管组成的复合晶体管，它的转移特性与MOSFET十分类似。为了便于理解，这里我们可通过分析MOSFET来理解IGBT的转移特性
2019-10-17 10:08
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特
2019-03-27 06:20
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、简述大家都知道，IGBT单
2021-11-15 08:51
