IGBT（绝缘栅双极型晶体管）击穿短路的原因是一个复杂且多元的问题，涉及多个因素相互作用。以下是对IGBT击穿短路原因的
2024-02-06 11:26
MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？击穿
2019-05-20 17:21
IGBT管的选用与检测 IGBT管的说明
2008-03-06 19:14
IGBT单管的封装形式比较简单，只有一个IGBT晶体管，一个反向恢复二极管和一个可选的温度传感器，而
2023-02-19 16:39
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT
2022-04-24 15:16
TRENCHSTOP IGBT7现在提供TO-247封装，电流等级为20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7带来更高的击穿电压（650V）、一流的性价比和效率，实现简单的即插即用解决方案
2020-10-22 09:33
MOS管（金属-氧化物-半导体场效应管）是一种常用的电子元件，在电路中起着开关、放大等重要作用。然而，在某些情况下，MOS管可能会发生击穿现象，导致其失效。
2024-10-09 11:54
MOS管的一个显著特点是其高输入电阻和小的栅-源极间电容。这种结构使得MOS管极易受到外部电磁场或静电的影响，从而带电。在静电较强的环境下，电荷难以泄放，这增加了静电击穿的风险。 静电
2024-10-04 16:35
igbt与mos管的区别 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor
2023-12-07 17:19
