---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、简述大家都知道，IGBT单
2021-11-15 08:51
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 编辑 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管
2012-07-09 11:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管
2012-07-09 10:01
MOS管都能够把它击穿。另外，就算是产生ESD，也不一定会把管子击穿。静电的基本物理特征为：(1)有吸引或排斥的力量;(2)有电场存在，与大地有电位差;(3)会产生放电电流。这三种情形即ESD一般会对
2017-06-01 15:59
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 编辑 请哪位高手指点一下，如何测量IGBT单管的好坏，谢谢
2012-07-25 21:49
引言如果我们要知道二级管中的限幅与稳压的区别，那么我们就先要知道关于二级管的一个重要特性。就是关于它的正向特性与反向击穿特性。二级管特性首先我们来看一张二级
2021-11-15 07:53
`<p> 挖掘mos管被击穿的原因及解决方案 一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上
2018-11-05 14:26
目录 IGBT和MOS管的区别：IGBT和可控硅的区别：IGBT驱动电路设计：1、IGBT驱动电路的设计2、
2021-09-09 08:05
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑 1，IGBT单管：IGBT，封装较模块小，电流通常在100A以下，常见有TO247 等封装,sg 本人常用。2，
2012-07-09 12:00
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑 1，IGBT单管：IGBT，封装较模块小，电流通常在100A以下，常见有TO247 等封装,sg 本人常用。2，
2012-07-09 10:12
