。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的
2012-10-24 08:02
）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只考虑
2012-07-04 17:14
）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO&lt;GTR&lt;IGBT&lt;MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只考虑
2012-07-06 15:56
的导通能量损耗，并在电力电子学的典型模式下扩大开关元件的安全工作区域。使用硅IGBT可以优化器件的成本。这种减少损耗功率的频率相关分量的要求突出了改善IGBT
2023-02-22 16:53
各位好：SAR ADC的工作频率范围是多少，AD10D1500这类的ADC属于Flash ADC吗？Flash ADC的频率范围
2019-06-06 09:42
型器件容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。在中大功率的开关电源装置中,IGBT 由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点,已逐步取代晶闸管或 GTO。但是在
2021-03-17 11:59
`如图请问英飞凌IGBT参数频率参数里最大最小值分别是什么意义`
2017-08-30 13:05
;——IGBT 集电极与发射极之间的电压;——流过IGBT 集电极－发射极的电流;——IGBT 的结温。如果IGBT 栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则
2018-10-18 10:53
MOSFET 器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET 与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz 频率
2012-07-11 17:07
IGBT、SJ MOSFET、Hybrid MOS的特征比较图。如V-I特性所示，Hybrid MOS在低电流范围具有与SJ MOSFET基本相同的良好特性。在大电流范围斜率陡升，可流过更多的电流。这
2018-11-28 14:25
